快科技5月25日音书，在与SK双双蔓延第十代NAND量产节点之际，铠侠在堆叠层数层面领先交出了量产时间表。

铠侠近日认真将第十代BiCS10 3D NAND闪存量产列为2026财年紧要政策要点，量产时间锁定2026年5月至2027年3月区间。

本领规格上，BiCS10吸收332层存储单位堆叠架构，比较现金BiCS8的218层增多约52%，K体育(中国)官网入口位密度升迁高达59%。

合营Toggle DDR 6.0接口轨范，I/O传输速率从上一代的3.6Gbps升迁至4.8Gbps，增幅约33%。输入功耗裁汰10%，开云与你同行输出功耗裁汰34%，在轨范TLC形态下可结束单颗2Tb存储容量。

这款芯片沿用了CMOS平直键合阵列（CBA）架构，将逻辑电路和存储阵列分裂在不同晶圆上制造后再键合。这种策画无需借助更复杂的PLC架构即可结束密度与可靠性的均衡。

坐蓐布局方面，铠侠将BiCS10的量产任务分派至日本岩手县北上市的K2新工场。该工场配备专为高层NAND闪存策画确实立，在成本支拨上较新建工场大幅压缩。

值得着重的是，铠侠于今尚未认真收到大限制证实订单，干系投资玄虚瞻望到2026年下半年才徐徐无垠。量产时间表与内容出货量之间的差距，照旧铠侠磋磨中最大的省略情要素。

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